Справочник MOSFET. FMP76-010T

 

FMP76-010T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FMP76-010T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 62 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 635 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: I4-PAK
 

 Аналог (замена) для FMP76-010T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMP76-010T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:104K  ixys
fmp76-010t.pdfpdf_icon

FMP76-010T

Advance Technical Information P CH. N CH.TrenchTM P & N-ChannelFMP76-010TPower MOSFETVDSS - 100V 100VCommon Drain Topology34 ID25 - 54A 62AT155 RDS(on) 24m 11m 43trr(typ) 70ns 67nsT21122ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsTJ -55 ... +150 CTJM 150 CTstg -55 ... +150 CVISOLD 50/60HZ, RMS, t =

Другие MOSFET... FMP16N50E , FMP16N50ES , FMP16N60E , FMP16N60ES , FMP20N50E , FMP20N50ES , FMP20N60S1 , FMP30N60S1 , 50N06 , FMR09N90E , FMR11N90E , FMR17N60ES , FMR19N60E , FMR19N60ES , FMR21N50ES , FMR23N50ES , FMR23N60E .

History: BSC150N03LDG | FXN0707C | AP0903GYT-HF | 15N60 | TMP7N90 | HMS8N50I | TMP830

 

 
Back to Top

 


 
.