Справочник MOSFET. FMP76-010T

 

FMP76-010T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FMP76-010T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 62 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 104 nC
   trⓘ - Время нарастания: 47 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 635 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: I4-PAK

 Аналог (замена) для FMP76-010T

 

 

FMP76-010T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:104K  ixys
 fmp76-010t.pdf

FMP76-010T FMP76-010T

Advance Technical Information P CH. N CH.TrenchTM P & N-ChannelFMP76-010TPower MOSFETVDSS - 100V 100VCommon Drain Topology34 ID25 - 54A 62AT155 RDS(on) 24m 11m 43trr(typ) 70ns 67nsT21122ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsTJ -55 ... +150 CTJM 150 CTstg -55 ... +150 CVISOLD 50/60HZ, RMS, t =

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top