FMP76-010T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FMP76-010T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 62 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 47 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 635 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
Тип корпуса: I4-PAK
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
FMP76-010T Datasheet (PDF)
fmp76-010t.pdf

Advance Technical Information P CH. N CH.TrenchTM P & N-ChannelFMP76-010TPower MOSFETVDSS - 100V 100VCommon Drain Topology34 ID25 - 54A 62AT155 RDS(on) 24m 11m 43trr(typ) 70ns 67nsT21122ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsTJ -55 ... +150 CTJM 150 CTstg -55 ... +150 CVISOLD 50/60HZ, RMS, t =
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: AP4N4R2H | 2SJ542 | BSS138A | STF20NM60D | AONU32320 | YTF840
History: AP4N4R2H | 2SJ542 | BSS138A | STF20NM60D | AONU32320 | YTF840



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2n3906 transistor equivalent | 2sc4883 | tip31a datasheet | d882 datasheet | tip29 transistor | s9014 transistor datasheet | 2sa1491 | 2sc1313 datasheet