FMP76-010T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMP76-010T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 62 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 635 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: I4-PAK

Аналог (замена) для FMP76-010T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMP76-010T даташит

 ..1. Size:104K  ixys
 fmp76-010t.pdf pdf_icon

FMP76-010T

Advance Technical Information P CH. N CH. TrenchTM P & N-Channel FMP76-010T Power MOSFET VDSS - 100V 100V Common Drain Topology 3 4 ID25 - 54A 62A T1 5 5 RDS(on) 24m 11m 4 3 trr(typ) 70ns 67ns T2 1 1 2 2 ISOPLUS i4-PakTM Symbol Test Conditions Maximum Ratings TJ -55 ... +150 C TJM 150 C Tstg -55 ... +150 C VISOLD 50/60HZ, RMS, t =

Другие IGBT... FMP16N50E, FMP16N50ES, FMP16N60E, FMP16N60ES, FMP20N50E, FMP20N50ES, FMP20N60S1, FMP30N60S1, 50N06, FMR09N90E, FMR11N90E, FMR17N60ES, FMR19N60E, FMR19N60ES, FMR21N50ES, FMR23N50ES, FMR23N60E