FMR21N50ES MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FMR21N50ES

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 135 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm

Encapsulados: TO-3PF

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FMR21N50ES datasheet

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FMR21N50ES

FMR21N50ES FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3S series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-3PF Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (4.2 0.5V)

Otros transistores... FMP20N60S1, FMP30N60S1, FMP76-010T, FMR09N90E, FMR11N90E, FMR17N60ES, FMR19N60E, FMR19N60ES, IRFB4110, FMR23N50ES, FMR23N60E, FMR23N60ES, FMR28N50E, FMR28N50ES, FMV03N60E, FMV05N50E, FMV05N60E