Справочник MOSFET. FMR21N50ES

 

FMR21N50ES Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FMR21N50ES
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PF
 

 Аналог (замена) для FMR21N50ES

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMR21N50ES Datasheet (PDF)

 ..1. Size:491K  fuji
 fmr21n50es.pdf pdf_icon

FMR21N50ES

FMR21N50ES FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3S series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-3PFLower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (4.20.5V)

Другие MOSFET... FMP20N60S1 , FMP30N60S1 , FMP76-010T , FMR09N90E , FMR11N90E , FMR17N60ES , FMR19N60E , FMR19N60ES , IRF640N , FMR23N50ES , FMR23N60E , FMR23N60ES , FMR28N50E , FMR28N50ES , FMV03N60E , FMV05N50E , FMV05N60E .

 

 
Back to Top

 


 
.