FMV21N50ES Todos los transistores

 

FMV21N50ES MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FMV21N50ES
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

 Búsqueda de reemplazo de FMV21N50ES MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FMV21N50ES Datasheet (PDF)

 ..1. Size:486K  fuji
 fmv21n50es.pdf pdf_icon

FMV21N50ES

FMV21N50ES FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3S series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-220F(SLS)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (4.2

Otros transistores... FMV16N60E , FMV16N60ES , FMV17N60ES , FMV19N60E , FMV19N60ES , FMV20N50E , FMV20N50ES , FMV20N60S1 , TK10A60D , FMV23N50ES , FMV24N25G , FMV30N60S1 , FMW20N60S1HF , FMW30N60S1HF , FMW47N60S1HF , FMW79N60S1HF , FP10W50C .

History: FQP5N40 | AOT404 | UPA2755AGR | NCEAP4045AGU | HM80N03KA | HM80N06K | HM80N08K

 

 
Back to Top

 


 
.