Справочник MOSFET. FMV21N50ES

 

FMV21N50ES Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FMV21N50ES
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для FMV21N50ES

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMV21N50ES Datasheet (PDF)

 ..1. Size:486K  fuji
 fmv21n50es.pdf pdf_icon

FMV21N50ES

FMV21N50ES FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3S series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-220F(SLS)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (4.2

Другие MOSFET... FMV16N60E , FMV16N60ES , FMV17N60ES , FMV19N60E , FMV19N60ES , FMV20N50E , FMV20N50ES , FMV20N60S1 , IRF530 , FMV23N50ES , FMV24N25G , FMV30N60S1 , FMW20N60S1HF , FMW30N60S1HF , FMW47N60S1HF , FMW79N60S1HF , FP10W50C .

History: CEH8205 | IPD082N10N3G | AM40P10-200P | 2SK1352 | CS10N65FA9HD | IPB530N15N3G | TPCA8101

 

 
Back to Top

 


 
.