FMV24N25G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FMV24N25G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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FMV24N25G datasheet

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FMV24N25G

http //www.fujisemi.com FMV24N25G FUJI POWER MOSFET Super FAP-G series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic High speed switching TO-220F(SLS) Low on-resistance No secondary breadown Drain(D) Low driving power Avalanche-proof Applications Gate(G) Switching regulators Source(S) UPS (Uninterruptible Power Supply) DC-DC converter

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