FMV24N25G Todos los transistores

 

FMV24N25G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FMV24N25G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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FMV24N25G Datasheet (PDF)

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FMV24N25G

http://www.fujisemi.comFMV24N25G FUJI POWER MOSFETSuper FAP-G series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicHigh speed switchingTO-220F(SLS)Low on-resistanceNo secondary breadownDrain(D)Low driving powerAvalanche-proofApplicationsGate(G)Switching regulatorsSource(S)UPS (Uninterruptible Power Supply)DC-DC converter

Otros transistores... FMV17N60ES , FMV19N60E , FMV19N60ES , FMV20N50E , FMV20N50ES , FMV20N60S1 , FMV21N50ES , FMV23N50ES , IRLZ44N , FMV30N60S1 , FMW20N60S1HF , FMW30N60S1HF , FMW47N60S1HF , FMW79N60S1HF , FP10W50C , FP10W50VX2 , FP10W90 .

 

 
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