FMV24N25G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FMV24N25G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de FMV24N25G MOSFET
FMV24N25G Datasheet (PDF)
fmv24n25g.pdf

http://www.fujisemi.comFMV24N25G FUJI POWER MOSFETSuper FAP-G series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicHigh speed switchingTO-220F(SLS)Low on-resistanceNo secondary breadownDrain(D)Low driving powerAvalanche-proofApplicationsGate(G)Switching regulatorsSource(S)UPS (Uninterruptible Power Supply)DC-DC converter
Otros transistores... FMV17N60ES , FMV19N60E , FMV19N60ES , FMV20N50E , FMV20N50ES , FMV20N60S1 , FMV21N50ES , FMV23N50ES , IRLZ44N , FMV30N60S1 , FMW20N60S1HF , FMW30N60S1HF , FMW47N60S1HF , FMW79N60S1HF , FP10W50C , FP10W50VX2 , FP10W90 .
History: 2SK2864 | BUK455-100B | HY18N20T | PTF10HN08 | C2M1000170D | HGS059N08AL | FQP6P25
History: 2SK2864 | BUK455-100B | HY18N20T | PTF10HN08 | C2M1000170D | HGS059N08AL | FQP6P25



Liste
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