FMV24N25G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMV24N25G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для FMV24N25G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMV24N25G даташит

 ..1. Size:320K  fuji
 fmv24n25g.pdf pdf_icon

FMV24N25G

http //www.fujisemi.com FMV24N25G FUJI POWER MOSFET Super FAP-G series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic High speed switching TO-220F(SLS) Low on-resistance No secondary breadown Drain(D) Low driving power Avalanche-proof Applications Gate(G) Switching regulators Source(S) UPS (Uninterruptible Power Supply) DC-DC converter

Другие IGBT... FMV17N60ES, FMV19N60E, FMV19N60ES, FMV20N50E, FMV20N50ES, FMV20N60S1, FMV21N50ES, FMV23N50ES, AON6380, FMV30N60S1, FMW20N60S1HF, FMW30N60S1HF, FMW47N60S1HF, FMW79N60S1HF, FP10W50C, FP10W50VX2, FP10W90