FMW79N60S1HF Todos los transistores

 

FMW79N60S1HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FMW79N60S1HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 545 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 68 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 107 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 14500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
     - Selección de transistores por parámetros

 

FMW79N60S1HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:576K  fuji
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FMW79N60S1HF

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/FMW79N60S1HF FUJI POWER MOSFETSuper J-MOS series N-Channel enhancement mode power MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicLow on-state resistanceTO-247-P2Low switching losseasy to use (more controllabe switching dV/dt by R )gDrain(D)ApplicationsUPSServerGate(G)Telecom Source(S)

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History: IPD50N04S4-08 | SIR496DP | IRFR9220 | 2N60P | AO4914 | AP9992GP-HF | BFC23

 

 
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