FMW79N60S1HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMW79N60S1HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 545 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 68 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 107 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 14500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для FMW79N60S1HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMW79N60S1HF даташит

 ..1. Size:576K  fuji
 fmw79n60s1hf.pdf pdf_icon

FMW79N60S1HF

http //www.fujielectric.com/products/semiconductor/ FMW79N60S1HF FUJI POWER MOSFET Super J-MOS series N-Channel enhancement mode power MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Low on-state resistance TO-247-P2 Low switching loss easy to use (more controllabe switching dV/dt by R ) g Drain(D) Applications UPS Server Gate(G) Telecom Source(S)

Другие IGBT... FMV20N60S1, FMV21N50ES, FMV23N50ES, FMV24N25G, FMV30N60S1, FMW20N60S1HF, FMW30N60S1HF, FMW47N60S1HF, STP80NF70, FP10W50C, FP10W50VX2, FP10W90, FP10W90HVX2, FP11W60C3, FP20W50VX2, FP20W60C3, FP3W90