FMW79N60S1HF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FMW79N60S1HF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 545 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 68 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 107 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 14500 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для FMW79N60S1HF
FMW79N60S1HF Datasheet (PDF)
fmw79n60s1hf.pdf

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/FMW79N60S1HF FUJI POWER MOSFETSuper J-MOS series N-Channel enhancement mode power MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicLow on-state resistanceTO-247-P2Low switching losseasy to use (more controllabe switching dV/dt by R )gDrain(D)ApplicationsUPSServerGate(G)Telecom Source(S)
Другие MOSFET... FMV20N60S1 , FMV21N50ES , FMV23N50ES , FMV24N25G , FMV30N60S1 , FMW20N60S1HF , FMW30N60S1HF , FMW47N60S1HF , 18N50 , FP10W50C , FP10W50VX2 , FP10W90 , FP10W90HVX2 , FP11W60C3 , FP20W50VX2 , FP20W60C3 , FP3W90 .
History: SPP03N60C3 | SPW21N50C3 | IRF7811WPBF | UPA2718AGR | FMW30N60S1HF | PMDPB56XN
History: SPP03N60C3 | SPW21N50C3 | IRF7811WPBF | UPA2718AGR | FMW30N60S1HF | PMDPB56XN



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
mp16b transistor | 2sa934 | 2sd118 | 2n3403 | 2sa750 | tip117 | 2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent