FP20W60C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FP20W60C3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.9 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 87 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 780 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: ITO-3P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FP20W60C3

FP20W60C3 Datasheet (PDF)

..1. Size:154K shindengen
fp20w60c3.pdf

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9.1. Size:272K shindengen
2sk2197 fp20w50vx2.pdf

SHINDENGENVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement typeOUTLINE DIMENSIONS2SK2197Case : E-packCase : ITO-3P(Unit : mm)(FP20W50VX2)500V 20AFEATURESInput capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small.The static Rds(on) is small.The switching time is fast.APPLICATIONSwitching power supply of AC 100V inputHigh vo

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Liste

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