FP20W60C3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FP20W60C3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 780 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
Тип корпуса: ITO-3P
Аналог (замена) для FP20W60C3
FP20W60C3 Datasheet (PDF)
fp20w60c3.pdf

P we MOS Eo r F T O T IEU LNUntmmiP cae T 3akgIO-PF 2W6CP 0 0 3 6 0 00 V2A 0000 P20W60C3F aueetrL wRoONFsS tat wihncig Ioae akgsltdP cae
2sk2197 fp20w50vx2.pdf

SHINDENGENVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement typeOUTLINE DIMENSIONS2SK2197Case : E-packCase : ITO-3P(Unit : mm)(FP20W50VX2)500V 20AFEATURESInput capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small.The static Rds(on) is small.The switching time is fast.APPLICATIONSwitching power supply of AC 100V inputHigh vo
Другие MOSFET... FMW47N60S1HF , FMW79N60S1HF , FP10W50C , FP10W50VX2 , FP10W90 , FP10W90HVX2 , FP11W60C3 , FP20W50VX2 , P0903BDG , FP3W90 , FP5W90HVX2 , FP7W90HVX2 , FP8V50 , FQA10N60C , FQA10N80 , FQA10N80C , FQA11N90 .
History: SSB80R160SFD | SVS11N70DD2TR
History: SSB80R160SFD | SVS11N70DD2TR



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc2078 transistor equivalent | 2sc2073 | a608 transistor | c536 transistor | 2n706 | 2n388 | 2n3645 | 2n1307