FP20W60C3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FP20W60C3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 780 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: ITO-3P

Аналог (замена) для FP20W60C3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FP20W60C3 даташит

 ..1. Size:154K  shindengen
 fp20w60c3.pdf pdf_icon

FP20W60C3

P we MOS E o r F T O T IE U LN Untmm i P cae T 3 akg IO-P F 2W6C P 0 0 3 6 0 0 0 V2A 0000 P20W60C3 F aue etr L wR o ON FsS t at wihn cig Ioae akg sltdP cae

 9.1. Size:272K  shindengen
 2sk2197 fp20w50vx2.pdf pdf_icon

FP20W60C3

SHINDENGEN VX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement type OUTLINE DIMENSIONS 2SK2197 Case E-pack Case ITO-3P (Unit mm) (FP20W50VX2) 500V 20A FEATURES Input capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small. The static Rds(on) is small. The switching time is fast. APPLICATION Switching power supply of AC 100V input High vo

Другие IGBT... FMW47N60S1HF, FMW79N60S1HF, FP10W50C, FP10W50VX2, FP10W90, FP10W90HVX2, FP11W60C3, FP20W50VX2, IRF1407, FP3W90, FP5W90HVX2, FP7W90HVX2, FP8V50, FQA10N60C, FQA10N80, FQA10N80C, FQA11N90