FP5W90HVX2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FP5W90HVX2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.8 Ohm
Paquete / Cubierta: ITO-3P
Búsqueda de reemplazo de FP5W90HVX2 MOSFET
FP5W90HVX2 Datasheet (PDF)
2sk2673 fp5w90hvx2.pdf

SHINDENGENHVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement typeOUTLINE DIMENSIONS2SK2673Case : ITO-3P(Unit : mm)( FP5W90HVX2 )900V 5AFEATURESInput capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small.The static Rds(on) is small.The switching time is fast.Avalanche resistance guaranteed.APPLICATIONSwitching power supply of A
Otros transistores... FP10W50C , FP10W50VX2 , FP10W90 , FP10W90HVX2 , FP11W60C3 , FP20W50VX2 , FP20W60C3 , FP3W90 , STP80NF70 , FP7W90HVX2 , FP8V50 , FQA10N60C , FQA10N80 , FQA10N80C , FQA11N90 , FQA11N90C , FQA12N60 .
History: SI5857DU | STF21NM60N | 2SK539 | FMP06N60ES | SSFN3313 | SWN5N70K | WFU1N60N
History: SI5857DU | STF21NM60N | 2SK539 | FMP06N60ES | SSFN3313 | SWN5N70K | WFU1N60N



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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