FP5W90HVX2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FP5W90HVX2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm

Тип корпуса: ITO-3P

Аналог (замена) для FP5W90HVX2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FP5W90HVX2 даташит

 ..1. Size:273K  shindengen
 2sk2673 fp5w90hvx2.pdf pdf_icon

FP5W90HVX2

SHINDENGEN HVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement type OUTLINE DIMENSIONS 2SK2673 Case ITO-3P (Unit mm) ( FP5W90HVX2 ) 900V 5A FEATURES Input capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small. The static Rds(on) is small. The switching time is fast. Avalanche resistance guaranteed. APPLICATION Switching power supply of A

Другие IGBT... FP10W50C, FP10W50VX2, FP10W90, FP10W90HVX2, FP11W60C3, FP20W50VX2, FP20W60C3, FP3W90, 10N65, FP7W90HVX2, FP8V50, FQA10N60C, FQA10N80, FQA10N80C, FQA11N90, FQA11N90C, FQA12N60