FP7W90HVX2 Todos los transistores

 

FP7W90HVX2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FP7W90HVX2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   tonⓘ - Tiempo de encendido: 95 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: ITO-3P
 

 Búsqueda de reemplazo de FP7W90HVX2 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FP7W90HVX2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:338K  shindengen
 fp7w90hvx2.pdf pdf_icon

FP7W90HVX2

SHINDENGENHVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement typeOUTLINE DIMENSIONS2SK2675Case : ITO-3P (FP7W90HVX2)900V 7AFEATURESInput capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small.The static Rds(on) is small.The switching time is fast.Avalanche resistance guaranteed.APPLICATIONSwitching power supply of AC 240V inputHigh voltage po

Otros transistores... FP10W50VX2 , FP10W90 , FP10W90HVX2 , FP11W60C3 , FP20W50VX2 , FP20W60C3 , FP3W90 , FP5W90HVX2 , 10N65 , FP8V50 , FQA10N60C , FQA10N80 , FQA10N80C , FQA11N90 , FQA11N90C , FQA12N60 , FQA12P20 .

History: JCS4N70B | JCS4N65VB | IRCP250 | HM85P02K | QM2606C1 | TPC60R840C | IXFK150N15P

 

 
Back to Top

 


 
.