FP7W90HVX2 Todos los transistores

 

FP7W90HVX2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FP7W90HVX2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   tonⓘ - Tiempo de encendido: 95 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: ITO-3P
 

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FP7W90HVX2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:338K  shindengen
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FP7W90HVX2

SHINDENGENHVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement typeOUTLINE DIMENSIONS2SK2675Case : ITO-3P (FP7W90HVX2)900V 7AFEATURESInput capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small.The static Rds(on) is small.The switching time is fast.Avalanche resistance guaranteed.APPLICATIONSwitching power supply of AC 240V inputHigh voltage po

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History: SVS60R190FJDD4 | AOT260L | SDF2N100JAB | 75N75L-TQ2-T | JCS3N80R | SVS11N65SD2TR | FQA10N80

 

 
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