FP7W90HVX2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FP7W90HVX2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

ton ⓘ - Время включения: 95 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: ITO-3P

Аналог (замена) для FP7W90HVX2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FP7W90HVX2 даташит

 ..1. Size:338K  shindengen
 fp7w90hvx2.pdf pdf_icon

FP7W90HVX2

SHINDENGEN HVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement type OUTLINE DIMENSIONS 2SK2675 Case ITO-3P (FP7W90HVX2) 900V 7A FEATURES Input capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small. The static Rds(on) is small. The switching time is fast. Avalanche resistance guaranteed. APPLICATION Switching power supply of AC 240V input High voltage po

Другие IGBT... FP10W50VX2, FP10W90, FP10W90HVX2, FP11W60C3, FP20W50VX2, FP20W60C3, FP3W90, FP5W90HVX2, 5N60, FP8V50, FQA10N60C, FQA10N80, FQA10N80C, FQA11N90, FQA11N90C, FQA12N60, FQA12P20