FQA12N60 Todos los transistores

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FQA12N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQA12N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 240 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 12 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5 V

Carga de compuerta (Qg): 42 nC

Tiempo de elevación (tr): 115 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 200 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.7 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-3P

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FQA12N60 Datasheet (PDF)

1.1. fqa12n60.pdf Size:535K _upd-mosfet

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April 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQA12N60 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect • 12A, 600V, RDS(on) = 0.7 Ω @ VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 42 nC) planar stripe, DMOS technology. • Low Crss ( typical 25 pF) This advanced technology has been e

5.1. fqa12p20.pdf Size:652K _upd-mosfet

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May 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQA12P20 200V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect • -12.6A, -200V, RDS(on) = 0.47Ω @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 31 nC) planar stripe, DMOS technology. • Low Crss ( typical 30 pF) This advanced technology has been

Otros transistores... FP5W90HVX2 , FP7W90HVX2 , FP8V50 , FQA10N60C , FQA10N80 , FQA10N80C , FQA11N90 , FQA11N90C , IRFBC40 , FQA12P20 , FQA13N50 , FQA13N50C , FQA13N80 , FQA14N30 , FQA16N25C , FQA16N50 , FQA17N40 .

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