Справочник MOSFET. FQA12N60

 

FQA12N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQA12N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для FQA12N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA12N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:535K  fairchild semi
 fqa12n60.pdf pdf_icon

FQA12N60

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQA12N60600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 12A, 600V, RDS(on) = 0.7 @ VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 42 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 25 pF)This advanced technology has been e

 9.1. Size:652K  fairchild semi
 fqa12p20.pdf pdf_icon

FQA12N60

May 2000TMQFETQFETQFETQFETFQA12P20200V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -12.6A, -200V, RDS(on) = 0.47 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 31 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 30 pF)This advanced technology has been

Другие MOSFET... FP5W90HVX2 , FP7W90HVX2 , FP8V50 , FQA10N60C , FQA10N80 , FQA10N80C , FQA11N90 , FQA11N90C , IRFB31N20D , FQA12P20 , FQA13N50 , FQA13N50C , FQA13N80 , FQA14N30 , FQA16N25C , FQA16N50 , FQA17N40 .

History: SWP072R72E7T

 

 
Back to Top

 


 
.