FQA12N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQA12N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для FQA12N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA12N60 даташит

 ..1. Size:535K  fairchild semi
 fqa12n60.pdf pdf_icon

FQA12N60

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQA12N60 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 12A, 600V, RDS(on) = 0.7 @ VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 42 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 25 pF) This advanced technology has been e

 9.1. Size:652K  fairchild semi
 fqa12p20.pdf pdf_icon

FQA12N60

May 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQA12P20 200V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -12.6A, -200V, RDS(on) = 0.47 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 31 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 30 pF) This advanced technology has been

Другие IGBT... FP5W90HVX2, FP7W90HVX2, FP8V50, FQA10N60C, FQA10N80, FQA10N80C, FQA11N90, FQA11N90C, IRF2807, FQA12P20, FQA13N50, FQA13N50C, FQA13N80, FQA14N30, FQA16N25C, FQA16N50, FQA17N40