FQA22P10 Todos los transistores

 

FQA22P10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQA22P10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 170 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PN
 

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FQA22P10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:659K  fairchild semi
 fqa22p10.pdf pdf_icon

FQA22P10

TMQFETFQA22P10100V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -24A, -100V, RDS(on) = 0.125 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 40 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 160 pF)This advanced technology has been especially tailored to

Otros transistores... FQA13N80 , FQA14N30 , FQA16N25C , FQA16N50 , FQA17N40 , FQA17P10 , FQA19N20L , FQA20N40 , RU7088R , FQA24N50F109 , FQA24N50F , FQA28N15F109 , FQA28N50F109 , FQA28N50F , FQA33N10 , FQA33N10L , FQA34N20 .

History: AUIRF7736M2TR1 | BF1202WR | NTD4804NA-1G

 

 
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