FQA22P10 Todos los transistores

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FQA22P10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQA22P10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Corriente continua de drenaje (Id): 24 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 170 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 460 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.125 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-3PN

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FQA22P10 Datasheet (PDF)

1.1. fqa22p10.pdf Size:659K _upd-mosfet

FQA22P10
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TM QFET FQA22P10 100V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect • -24A, -100V, RDS(on) = 0.125Ω @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 40 nC) planar stripe, DMOS technology. • Low Crss ( typical 160 pF) This advanced technology has been especially tailored to •

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