FQA22P10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FQA22P10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 40 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 170 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PN

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FQA22P10 Datasheet (PDF)

..1. Size:659K fairchild semi
fqa22p10.pdf

TMQFETFQA22P10100V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -24A, -100V, RDS(on) = 0.125 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 40 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 160 pF)This advanced technology has been especially tailored to

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Liste

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