FQA22P10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQA22P10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm

Тип корпуса: TO-3PN

Аналог (замена) для FQA22P10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA22P10 даташит

 ..1. Size:659K  fairchild semi
 fqa22p10.pdf pdf_icon

FQA22P10

TM QFET FQA22P10 100V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -24A, -100V, RDS(on) = 0.125 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 40 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 160 pF) This advanced technology has been especially tailored to

Другие IGBT... FQA13N80, FQA14N30, FQA16N25C, FQA16N50, FQA17N40, FQA17P10, FQA19N20L, FQA20N40, IRFZ48N, FQA24N50F109, FQA24N50F, FQA28N15F109, FQA28N50F109, FQA28N50F, FQA33N10, FQA33N10L, FQA34N20