Справочник MOSFET. FQA22P10

 

FQA22P10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQA22P10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
 

 Аналог (замена) для FQA22P10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA22P10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:659K  fairchild semi
 fqa22p10.pdf pdf_icon

FQA22P10

TMQFETFQA22P10100V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -24A, -100V, RDS(on) = 0.125 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 40 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 160 pF)This advanced technology has been especially tailored to

Другие MOSFET... FQA13N80 , FQA14N30 , FQA16N25C , FQA16N50 , FQA17N40 , FQA17P10 , FQA19N20L , FQA20N40 , RU7088R , FQA24N50F109 , FQA24N50F , FQA28N15F109 , FQA28N50F109 , FQA28N50F , FQA33N10 , FQA33N10L , FQA34N20 .

History: RUH40190M | MPF102

 

 
Back to Top

 


 
.