FQA33N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FQA33N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 163 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 38 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 195 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P

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FQA33N10 Datasheet (PDF)

..1. Size:566K fairchild semi
fqa33n10.pdf

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQA33N10100V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 36A, 100V, RDS(on) = 0.052 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 38 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 62 pF)This advanced technology has been e

0.1. Size:644K fairchild semi
fqa33n10l.pdf

September 2000TMQFETQFETQFETQFETFQA33N10L100V LOGIC N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 36A, 100V, RDS(on) = 0.052 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 30 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 70 pF)This advanced technology

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: