FQA33N10 Todos los transistores

 

FQA33N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQA33N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 163 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 195 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P
     - Selección de transistores por parámetros

 

FQA33N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:566K  fairchild semi
 fqa33n10.pdf pdf_icon

FQA33N10

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQA33N10100V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 36A, 100V, RDS(on) = 0.052 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 38 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 62 pF)This advanced technology has been e

 0.1. Size:644K  fairchild semi
 fqa33n10l.pdf pdf_icon

FQA33N10

September 2000TMQFETQFETQFETQFETFQA33N10L100V LOGIC N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 36A, 100V, RDS(on) = 0.052 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 30 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 70 pF)This advanced technology

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History: BLS7G2325L-105 | AO4914 | SIR496DP | HYG032N03LR1C1 | BFC23 | 2SK3432-Z | IRFR9220

 

 
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