Справочник MOSFET. FQA33N10

 

FQA33N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQA33N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 163 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 195 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для FQA33N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA33N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:566K  fairchild semi
 fqa33n10.pdf pdf_icon

FQA33N10

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQA33N10100V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 36A, 100V, RDS(on) = 0.052 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 38 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 62 pF)This advanced technology has been e

 0.1. Size:644K  fairchild semi
 fqa33n10l.pdf pdf_icon

FQA33N10

September 2000TMQFETQFETQFETQFETFQA33N10L100V LOGIC N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 36A, 100V, RDS(on) = 0.052 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 30 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 70 pF)This advanced technology

Другие MOSFET... FQA19N20L , FQA20N40 , FQA22P10 , FQA24N50F109 , FQA24N50F , FQA28N15F109 , FQA28N50F109 , FQA28N50F , EMB04N03H , FQA33N10L , FQA34N20 , FQA34N20L , FQA34N25 , FQA35N40 , FQA36P15F109 , FQA44N08 , FQA44N10 .

History: STP20NM50 | 2KJ7107DFN | JCS7HN65R | HM4480 | UPA2720AGR | WM02P06F | CS12N80F

 

 
Back to Top

 


 
.