FQA33N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQA33N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 163 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 195 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для FQA33N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA33N10 даташит

 ..1. Size:566K  fairchild semi
 fqa33n10.pdf pdf_icon

FQA33N10

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQA33N10 100V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 36A, 100V, RDS(on) = 0.052 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 38 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 62 pF) This advanced technology has been e

 0.1. Size:644K  fairchild semi
 fqa33n10l.pdf pdf_icon

FQA33N10

September 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQA33N10L 100V LOGIC N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 36A, 100V, RDS(on) = 0.052 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 30 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 70 pF) This advanced technology

Другие IGBT... FQA19N20L, FQA20N40, FQA22P10, FQA24N50F109, FQA24N50F, FQA28N15F109, FQA28N50F109, FQA28N50F, AON7403, FQA33N10L, FQA34N20, FQA34N20L, FQA34N25, FQA35N40, FQA36P15F109, FQA44N08, FQA44N10