FQA35N40 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQA35N40

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 310 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 360 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 730 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm

Encapsulados: TO-3P

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FQA35N40 datasheet

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FQA35N40

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET 400V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 35A, 400V, RDS(on) = 0.105 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 110 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 65 pF) This advanced technology has bee

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