FQA35N40 Todos los transistores

 

FQA35N40 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQA35N40
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 310 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 360 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 730 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P
 

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FQA35N40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:738K  fairchild semi
 fqa35n40.pdf pdf_icon

FQA35N40

April 2000TMQFETQFETQFETQFET 400V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 35A, 400V, RDS(on) = 0.105 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 110 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 65 pF)This advanced technology has bee

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History: IRF5801PBF | APT31N80JC3 | LNG2N60 | NCE65T540K | STB130NS04ZBT4 | STP6N95K5 | IRF6729MPBF

 

 
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