FQA35N40. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQA35N40

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 360 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 730 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для FQA35N40

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA35N40 даташит

 ..1. Size:738K  fairchild semi
 fqa35n40.pdf pdf_icon

FQA35N40

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET 400V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 35A, 400V, RDS(on) = 0.105 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 110 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 65 pF) This advanced technology has bee

Другие IGBT... FQA28N15F109, FQA28N50F109, FQA28N50F, FQA33N10, FQA33N10L, FQA34N20, FQA34N20L, FQA34N25, AOD4184A, FQA36P15F109, FQA44N08, FQA44N10, FQA46N15F109, FQA47P06, FQA48N20, FQA55N10, FQA5N90