Справочник MOSFET. FQA35N40

 

FQA35N40 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQA35N40
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 360 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 730 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA35N40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:738K  fairchild semi
 fqa35n40.pdf pdf_icon

FQA35N40

April 2000TMQFETQFETQFETQFET 400V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 35A, 400V, RDS(on) = 0.105 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 110 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 65 pF)This advanced technology has bee

Другие MOSFET... FQA28N15F109 , FQA28N50F109 , FQA28N50F , FQA33N10 , FQA33N10L , FQA34N20 , FQA34N20L , FQA34N25 , CEP83A3 , FQA36P15F109 , FQA44N08 , FQA44N10 , FQA46N15F109 , FQA47P06 , FQA48N20 , FQA55N10 , FQA5N90 .

History: SI9945BDY | NVTFS002N04C

 

 
Back to Top

 


 
.