FQA36P15F109 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FQA36P15F109
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 294 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 36 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 81 nC
   Tiempo de subida (tr): 350 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 710 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P

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FQA36P15F109 Datasheet (PDF)

6.1. Size:868K fairchild semi
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September 2010 QFETFQA36P15 / FQA36P15_F109150V P-Channel MOSFETFeatures Description -36A, -150V, RDS(on) = 0.09 @VGS = -10 V These P-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 81 nC) transistors are produced using Fairchilds proprietary, planarstripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 110pF)This advanced technology has been espe

6.2. Size:856K fairchild semi
fqa36p15 f109.pdf

6.3. Size:305K inchange semiconductor
fqa36p15.pdf

isc P-Channel MOSFET Transistor FQA36P15FEATURESDrain Current : I = -36A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = -150V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 90m(Max) @V = -10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand sole

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Liste

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