Справочник MOSFET. FQA36P15F109

 

FQA36P15F109 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQA36P15F109
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 294 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 81 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 350 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 710 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для FQA36P15F109

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA36P15F109 Datasheet (PDF)

 6.1. Size:868K  fairchild semi
 fqa36p15 fqa36p15 f109.pdf pdf_icon

FQA36P15F109

September 2010 QFETFQA36P15 / FQA36P15_F109150V P-Channel MOSFETFeatures Description -36A, -150V, RDS(on) = 0.09 @VGS = -10 V These P-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 81 nC) transistors are produced using Fairchilds proprietary, planarstripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 110pF)This advanced technology has been espe

 6.2. Size:856K  fairchild semi
 fqa36p15 f109.pdf pdf_icon

FQA36P15F109

September 2010 QFETFQA36P15 / FQA36P15_F109150V P-Channel MOSFETFeatures Description -36A, -150V, RDS(on) = 0.09 @VGS = -10 V These P-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 81 nC) transistors are produced using Fairchilds proprietary, planarstripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 110pF)This advanced technology has been espe

 6.3. Size:305K  inchange semiconductor
 fqa36p15.pdf pdf_icon

FQA36P15F109

isc P-Channel MOSFET Transistor FQA36P15FEATURESDrain Current : I = -36A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = -150V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 90m(Max) @V = -10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand sole

Другие MOSFET... FQA28N50F109 , FQA28N50F , FQA33N10 , FQA33N10L , FQA34N20 , FQA34N20L , FQA34N25 , FQA35N40 , AO3407 , FQA44N08 , FQA44N10 , FQA46N15F109 , FQA47P06 , FQA48N20 , FQA55N10 , FQA5N90 , FQA65N06 .

 

 
Back to Top

 


 
.