FQA36P15F109 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FQA36P15F109
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 294 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 81 nC
trⓘ - Время нарастания: 350 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 710 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
Тип корпуса: TO-3P
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
FQA36P15F109 Datasheet (PDF)
fqa36p15 fqa36p15 f109.pdf

September 2010 QFETFQA36P15 / FQA36P15_F109150V P-Channel MOSFETFeatures Description -36A, -150V, RDS(on) = 0.09 @VGS = -10 V These P-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 81 nC) transistors are produced using Fairchilds proprietary, planarstripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 110pF)This advanced technology has been espe
fqa36p15 f109.pdf

September 2010 QFETFQA36P15 / FQA36P15_F109150V P-Channel MOSFETFeatures Description -36A, -150V, RDS(on) = 0.09 @VGS = -10 V These P-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 81 nC) transistors are produced using Fairchilds proprietary, planarstripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 110pF)This advanced technology has been espe
fqa36p15.pdf

isc P-Channel MOSFET Transistor FQA36P15FEATURESDrain Current : I = -36A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = -150V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 90m(Max) @V = -10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand sole
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: STS8216 | HY1808AM | FQB17P06TM | STS5PF20V | FQA6N90CF109 | FQB22P10
History: STS8216 | HY1808AM | FQB17P06TM | STS5PF20V | FQA6N90CF109 | FQB22P10



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2n2926 | ksa992 pinout | 2n1308 transistor | p609 | bc327-40 | tip125 | a992 transistor | 2sa913