FQA46N15F109 Todos los transistores

 

FQA46N15F109 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQA46N15F109
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 320 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 520 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PN
 

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FQA46N15F109 Datasheet (PDF)

 6.1. Size:788K  fairchild semi
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FQA46N15F109

August 2007 QFETFQA46N15 / FQA46N15_F109150V N-Channel MOSFETFeatures Description 50A, 150V, RDS(on) = 0.042 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 85 nC) transistors are produced using Fairchilds proprietary, planarstripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 100pF)This advanced technology has been especiall

 6.2. Size:2297K  onsemi
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FQA46N15F109

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

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History: AO4705 | SHD231006

 

 
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