FQA46N15F109 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FQA46N15F109
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 250 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 50 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 85 nC
Tiempo de subida (tr): 320 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 520 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.042 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3PN
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FQA46N15F109 Datasheet (PDF)
fqa46n15 fqa46n15 f109.pdf
August 2007 QFETFQA46N15 / FQA46N15_F109150V N-Channel MOSFETFeatures Description 50A, 150V, RDS(on) = 0.042 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 85 nC) transistors are produced using Fairchilds proprietary, planarstripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 100pF)This advanced technology has been especiall
fqa46n15.pdf
Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
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