FQA46N15F109 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQA46N15F109

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 320 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 520 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm

Encapsulados: TO-3PN

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FQA46N15F109 datasheet

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FQA46N15F109

August 2007 QFET FQA46N15 / FQA46N15_F109 150V N-Channel MOSFET Features Description 50A, 150V, RDS(on) = 0.042 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 85 nC) transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 100pF) This advanced technology has been especiall

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FQA46N15F109

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