FQA46N15F109. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQA46N15F109

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 320 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm

Тип корпуса: TO-3PN

Аналог (замена) для FQA46N15F109

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA46N15F109 даташит

 6.1. Size:788K  fairchild semi
 fqa46n15 fqa46n15 f109.pdf pdf_icon

FQA46N15F109

August 2007 QFET FQA46N15 / FQA46N15_F109 150V N-Channel MOSFET Features Description 50A, 150V, RDS(on) = 0.042 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 85 nC) transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 100pF) This advanced technology has been especiall

 6.2. Size:2297K  onsemi
 fqa46n15.pdf pdf_icon

FQA46N15F109

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие IGBT... FQA33N10L, FQA34N20, FQA34N20L, FQA34N25, FQA35N40, FQA36P15F109, FQA44N08, FQA44N10, AO4468, FQA47P06, FQA48N20, FQA55N10, FQA5N90, FQA65N06, FQA6N70, FQA6N80, FQA6N90