Справочник MOSFET. FQA46N15F109

 

FQA46N15F109 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FQA46N15F109
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 320 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN

 Аналог (замена) для FQA46N15F109

 

 

FQA46N15F109 Datasheet (PDF)

 6.1. Size:788K  fairchild semi
 fqa46n15 fqa46n15 f109.pdf

FQA46N15F109 FQA46N15F109

August 2007 QFETFQA46N15 / FQA46N15_F109150V N-Channel MOSFETFeatures Description 50A, 150V, RDS(on) = 0.042 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 85 nC) transistors are produced using Fairchilds proprietary, planarstripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 100pF)This advanced technology has been especiall

 6.2. Size:2297K  onsemi
 fqa46n15.pdf

FQA46N15F109 FQA46N15F109

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SSP80R850S2

 

 
Back to Top