FQA47P06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FQA47P06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 450 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3PN
Búsqueda de reemplazo de FQA47P06 MOSFET
FQA47P06 Datasheet (PDF)
fqa47p06.pdf
May 2001TMQFETFQA47P0660V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -55A, -60V, RDS(on) = 0.026 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 84 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 320 pF)This advanced technology has been especially tailored
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Liste
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