FQA47P06 Todos los transistores

 

FQA47P06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQA47P06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 450 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PN
 

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FQA47P06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:741K  fairchild semi
 fqa47p06.pdf pdf_icon

FQA47P06

May 2001TMQFETFQA47P0660V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -55A, -60V, RDS(on) = 0.026 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 84 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 320 pF)This advanced technology has been especially tailored

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History: HSM4094 | DH012N03D | ST2302 | MTM45N05E | WMP80R1K0S | 2SK2635 | NCEP60T18

 

 
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