Справочник MOSFET. FQA47P06

 

FQA47P06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQA47P06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 450 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
 

 Аналог (замена) для FQA47P06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA47P06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:741K  fairchild semi
 fqa47p06.pdf pdf_icon

FQA47P06

May 2001TMQFETFQA47P0660V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -55A, -60V, RDS(on) = 0.026 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 84 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 320 pF)This advanced technology has been especially tailored

Другие MOSFET... FQA34N20 , FQA34N20L , FQA34N25 , FQA35N40 , FQA36P15F109 , FQA44N08 , FQA44N10 , FQA46N15F109 , BS170 , FQA48N20 , FQA55N10 , FQA5N90 , FQA65N06 , FQA6N70 , FQA6N80 , FQA6N90 , FQA7N60 .

History: AFC1563 | NCE1012E

 

 
Back to Top

 


 
.