FQA47P06 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FQA47P06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 450 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
Тип корпуса: TO-3PN
Аналог (замена) для FQA47P06
FQA47P06 Datasheet (PDF)
fqa47p06.pdf

May 2001TMQFETFQA47P0660V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -55A, -60V, RDS(on) = 0.026 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 84 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 320 pF)This advanced technology has been especially tailored
Другие MOSFET... FQA34N20 , FQA34N20L , FQA34N25 , FQA35N40 , FQA36P15F109 , FQA44N08 , FQA44N10 , FQA46N15F109 , BS170 , FQA48N20 , FQA55N10 , FQA5N90 , FQA65N06 , FQA6N70 , FQA6N80 , FQA6N90 , FQA7N60 .
History: SRT10N047HC56TR-G | HM15N50F | DMN33D8LDW | SI7454CDP | MTP4835AQ8 | STL11N4LLF5
History: SRT10N047HC56TR-G | HM15N50F | DMN33D8LDW | SI7454CDP | MTP4835AQ8 | STL11N4LLF5



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
bc327-40 | tip125 | a992 transistor | 2sa913 | 2sc711 datasheet | bu4508dx | 2sc1364 | 2sc2320