FQA47P06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQA47P06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 450 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: TO-3PN

Аналог (замена) для FQA47P06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA47P06 даташит

 ..1. Size:741K  fairchild semi
 fqa47p06.pdf pdf_icon

FQA47P06

May 2001 TM QFET FQA47P06 60V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -55A, -60V, RDS(on) = 0.026 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 84 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 320 pF) This advanced technology has been especially tailored

Другие IGBT... FQA34N20, FQA34N20L, FQA34N25, FQA35N40, FQA36P15F109, FQA44N08, FQA44N10, FQA46N15F109, IRF730, FQA48N20, FQA55N10, FQA5N90, FQA65N06, FQA6N70, FQA6N80, FQA6N90, FQA7N60