FQA47P06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FQA47P06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 214 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 55 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 84 nC
Время нарастания (tr): 450 ns
Выходная емкость (Cd): 1300 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.026 Ohm
Тип корпуса: TO-3PN
FQA47P06 Datasheet (PDF)
..1. Size:741K fairchild semi
fqa47p06.pdf
fqa47p06.pdf
May 2001TMQFETFQA47P0660V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -55A, -60V, RDS(on) = 0.026 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 84 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 320 pF)This advanced technology has been especially tailored
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
