FQA48N20 Todos los transistores

 

FQA48N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQA48N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 430 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P
 

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FQA48N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:707K  fairchild semi
 fqa48n20.pdf pdf_icon

FQA48N20

April 2000TMQFETQFETQFETQFET 200V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 48A, 200V, RDS(on) = 0.05 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 100 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 75 pF)This advanced technology has been

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History: SML1001R3HN | FDD5N50FTM-WS | IPP048N04 | IPP80N06S2-05 | WML15N25T2 | SSG4501 | WST2300

 

 
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