FQA48N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQA48N20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 430 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: TO-3P

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FQA48N20 datasheet

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FQA48N20

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET 200V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 48A, 200V, RDS(on) = 0.05 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 100 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 75 pF) This advanced technology has been

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