FQA48N20. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQA48N20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 430 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для FQA48N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA48N20 даташит

 ..1. Size:707K  fairchild semi
 fqa48n20.pdf pdf_icon

FQA48N20

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET 200V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 48A, 200V, RDS(on) = 0.05 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 100 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 75 pF) This advanced technology has been

Другие IGBT... FQA34N20L, FQA34N25, FQA35N40, FQA36P15F109, FQA44N08, FQA44N10, FQA46N15F109, FQA47P06, IRFZ44N, FQA55N10, FQA5N90, FQA65N06, FQA6N70, FQA6N80, FQA6N90, FQA7N60, FQA7N80