FQA48N20 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FQA48N20
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 280 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 48 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 100 nC
Время нарастания (tr): 430 ns
Выходная емкость (Cd): 700 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.05 Ohm
Тип корпуса: TO-3P
FQA48N20 Datasheet (PDF)
..1. Size:707K fairchild semi
fqa48n20.pdf
fqa48n20.pdf
April 2000TMQFETQFETQFETQFET 200V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 48A, 200V, RDS(on) = 0.05 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 100 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 75 pF)This advanced technology has been
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: AP95N25W
