Справочник MOSFET. FQA48N20

 

FQA48N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQA48N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 100 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 430 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для FQA48N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA48N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:707K  fairchild semi
 fqa48n20.pdf pdf_icon

FQA48N20

April 2000TMQFETQFETQFETQFET 200V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 48A, 200V, RDS(on) = 0.05 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 100 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 75 pF)This advanced technology has been

Другие MOSFET... FQA34N20L , FQA34N25 , FQA35N40 , FQA36P15F109 , FQA44N08 , FQA44N10 , FQA46N15F109 , FQA47P06 , IRFZ44N , FQA55N10 , FQA5N90 , FQA65N06 , FQA6N70 , FQA6N80 , FQA6N90 , FQA7N60 , FQA7N80 .

 

 
Back to Top

 


 
.