FQA55N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQA55N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 61 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 640 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm

Encapsulados: TO-3P

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FQA55N10 datasheet

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FQA55N10

August 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQA55N10 100V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 61A, 100V, RDS(on) = 0.026 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 75 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 130 pF) This advanced technology has been

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FQA55N10

May 2000 TM QFET QFET QFET QFET 250V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 55A, 250V, RDS(on) = 0.04 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 140 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 125 pF) This advanced technology has been e

Otros transistores... FQA34N25, FQA35N40, FQA36P15F109, FQA44N08, FQA44N10, FQA46N15F109, FQA47P06, FQA48N20, IRF3205, FQA5N90, FQA65N06, FQA6N70, FQA6N80, FQA6N90, FQA7N60, FQA7N80, FQA7N80C