FQA55N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQA55N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 61 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для FQA55N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA55N10 даташит

 ..1. Size:661K  fairchild semi
 fqa55n10.pdf pdf_icon

FQA55N10

August 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQA55N10 100V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 61A, 100V, RDS(on) = 0.026 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 75 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 130 pF) This advanced technology has been

 8.1. Size:863K  fairchild semi
 fqa55n25.pdf pdf_icon

FQA55N10

May 2000 TM QFET QFET QFET QFET 250V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 55A, 250V, RDS(on) = 0.04 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 140 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 125 pF) This advanced technology has been e

Другие IGBT... FQA34N25, FQA35N40, FQA36P15F109, FQA44N08, FQA44N10, FQA46N15F109, FQA47P06, FQA48N20, IRF3205, FQA5N90, FQA65N06, FQA6N70, FQA6N80, FQA6N90, FQA7N60, FQA7N80, FQA7N80C