Справочник MOSFET. FQA55N10

 

FQA55N10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FQA55N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 61 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 75 nC
   trⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P

 Аналог (замена) для FQA55N10

 

 

FQA55N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:661K  fairchild semi
 fqa55n10.pdf

FQA55N10 FQA55N10

August 2000TMQFETQFETQFETQFETFQA55N10100V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 61A, 100V, RDS(on) = 0.026 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 75 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 130 pF)This advanced technology has been

 8.1. Size:863K  fairchild semi
 fqa55n25.pdf

FQA55N10 FQA55N10

May 2000TMQFETQFETQFETQFET 250V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 55A, 250V, RDS(on) = 0.04 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 140 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 125 pF)This advanced technology has been e

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SRT04N016LDTR-GS

 

 
Back to Top