FQA5N90 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FQA5N90
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 185 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 900 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5.8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 31 nC
Tiempo de subida (tr): 65 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 110 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3P
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FQA5N90
FQA5N90 Datasheet (PDF)
fqa5n90.pdf
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September 2000TMQFETQFETQFETQFETFQA5N90900V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 5.8A, 900V, RDS(on) = 2.3 @ VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 31 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 13 pF)This advanced technology has be
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