FQA5N90 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQA5N90

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 185 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.3 Ohm

Encapsulados: TO-3P

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FQA5N90 datasheet

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FQA5N90

September 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQA5N90 900V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 5.8A, 900V, RDS(on) = 2.3 @ VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 31 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 13 pF) This advanced technology has be

Otros transistores... FQA35N40, FQA36P15F109, FQA44N08, FQA44N10, FQA46N15F109, FQA47P06, FQA48N20, FQA55N10, IRF740, FQA65N06, FQA6N70, FQA6N80, FQA6N90, FQA7N60, FQA7N80, FQA7N80C, FQA7N90