FQA5N90 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FQA5N90
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 185 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3P
Búsqueda de reemplazo de FQA5N90 MOSFET
FQA5N90 Datasheet (PDF)
fqa5n90.pdf

September 2000TMQFETQFETQFETQFETFQA5N90900V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 5.8A, 900V, RDS(on) = 2.3 @ VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 31 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 13 pF)This advanced technology has be
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Liste
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