Справочник MOSFET. FQA5N90

 

FQA5N90 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQA5N90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 185 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для FQA5N90

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA5N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:619K  fairchild semi
 fqa5n90.pdf pdf_icon

FQA5N90

September 2000TMQFETQFETQFETQFETFQA5N90900V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 5.8A, 900V, RDS(on) = 2.3 @ VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 31 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 13 pF)This advanced technology has be

Другие MOSFET... FQA35N40 , FQA36P15F109 , FQA44N08 , FQA44N10 , FQA46N15F109 , FQA47P06 , FQA48N20 , FQA55N10 , IRF740 , FQA65N06 , FQA6N70 , FQA6N80 , FQA6N90 , FQA7N60 , FQA7N80 , FQA7N80C , FQA7N90 .

History: STB140NF75T4 | OSG55R108PZF | BL10N40-D | FS10SM-18A | 2N6796U | TPC8006-H | IPP80N06S2-H5

 

 
Back to Top

 


 
.