FQA65N06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQA65N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 183 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 72 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 160 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm

Encapsulados: TO-3P

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FQA65N06 datasheet

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FQA65N06

May 2001 TM QFET FQA65N06 60V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 72A, 60V, RDS(on) = 0.016 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 48 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 100 pF) This advanced technology has been especially tailored to

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FQA65N06

August 2001 TM QFET FQA65N20 200V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 65A, 200V, RDS(on) = 0.032 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 170 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 90 pF) This advanced technology has been especially tailor

Otros transistores... FQA36P15F109, FQA44N08, FQA44N10, FQA46N15F109, FQA47P06, FQA48N20, FQA55N10, FQA5N90, IRF840, FQA6N70, FQA6N80, FQA6N90, FQA7N60, FQA7N80, FQA7N80C, FQA7N90, FQA7N90M