FQA65N06 Todos los transistores

 

FQA65N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQA65N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 183 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 72 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 160 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P
 

 Búsqueda de reemplazo de FQA65N06 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FQA65N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:651K  fairchild semi
 fqa65n06.pdf pdf_icon

FQA65N06

May 2001TMQFETFQA65N0660V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 72A, 60V, RDS(on) = 0.016 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 48 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 100 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 8.1. Size:663K  fairchild semi
 fqa65n20.pdf pdf_icon

FQA65N06

August 2001TMQFETFQA65N20200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 65A, 200V, RDS(on) = 0.032 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 170 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 90 pF)This advanced technology has been especially tailor

Otros transistores... FQA36P15F109 , FQA44N08 , FQA44N10 , FQA46N15F109 , FQA47P06 , FQA48N20 , FQA55N10 , FQA5N90 , IRF840 , FQA6N70 , FQA6N80 , FQA6N90 , FQA7N60 , FQA7N80 , FQA7N80C , FQA7N90 , FQA7N90M .

History: IXFT86N30T | FQI2N90TU | IXFV12N120PS | 2SK3096 | APM4800 | HM80N03K | IXFX30N110P

 

 
Back to Top

 


 
.