Справочник MOSFET. FQA65N06

 

FQA65N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQA65N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 183 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 72 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 160 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для FQA65N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA65N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:651K  fairchild semi
 fqa65n06.pdf pdf_icon

FQA65N06

May 2001TMQFETFQA65N0660V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 72A, 60V, RDS(on) = 0.016 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 48 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 100 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 8.1. Size:663K  fairchild semi
 fqa65n20.pdf pdf_icon

FQA65N06

August 2001TMQFETFQA65N20200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 65A, 200V, RDS(on) = 0.032 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 170 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 90 pF)This advanced technology has been especially tailor

Другие MOSFET... FQA36P15F109 , FQA44N08 , FQA44N10 , FQA46N15F109 , FQA47P06 , FQA48N20 , FQA55N10 , FQA5N90 , IRF840 , FQA6N70 , FQA6N80 , FQA6N90 , FQA7N60 , FQA7N80 , FQA7N80C , FQA7N90 , FQA7N90M .

History: HCD90R450 | VS3620DP-G | LPM2301B3F | SI4N60-TA3-T | SSC8033GS6 | HM2301KR | 2SK746

 

 
Back to Top

 


 
.