FQA65N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQA65N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 183 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 72 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 160 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для FQA65N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA65N06 даташит

 ..1. Size:651K  fairchild semi
 fqa65n06.pdf pdf_icon

FQA65N06

May 2001 TM QFET FQA65N06 60V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 72A, 60V, RDS(on) = 0.016 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 48 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 100 pF) This advanced technology has been especially tailored to

 8.1. Size:663K  fairchild semi
 fqa65n20.pdf pdf_icon

FQA65N06

August 2001 TM QFET FQA65N20 200V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 65A, 200V, RDS(on) = 0.032 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 170 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 90 pF) This advanced technology has been especially tailor

Другие IGBT... FQA36P15F109, FQA44N08, FQA44N10, FQA46N15F109, FQA47P06, FQA48N20, FQA55N10, FQA5N90, IRF840, FQA6N70, FQA6N80, FQA6N90, FQA7N60, FQA7N80, FQA7N80C, FQA7N90, FQA7N90M