FQA85N06 Todos los transistores

 

FQA85N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQA85N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 230 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PN
 

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FQA85N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:669K  fairchild semi
 fqa85n06.pdf pdf_icon

FQA85N06

May 2001TMQFETFQA85N0660V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 100A, 60V, RDS(on) = 0.010 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 86 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 165 pF)This advanced technology has been especially tailored t

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History: SI4N60-TF3-T | 2SK745 | R6576ENZ1 | STD12N60DM2AG | SWI110R06VT | IRFS3207ZPBF | NVTFS6H880N

 

 
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