FQA85N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FQA85N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 214 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 100 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 86 nC
Tiempo de subida (tr): 230 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1150 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.01 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3PN
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FQA85N06
FQA85N06 Datasheet (PDF)
fqa85n06.pdf
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May 2001TMQFETFQA85N0660V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 100A, 60V, RDS(on) = 0.010 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 86 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 165 pF)This advanced technology has been especially tailored t
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