FQA85N06 Todos los transistores

 

FQA85N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQA85N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 230 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PN
 

 Búsqueda de reemplazo de FQA85N06 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FQA85N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:669K  fairchild semi
 fqa85n06.pdf pdf_icon

FQA85N06

May 2001TMQFETFQA85N0660V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 100A, 60V, RDS(on) = 0.010 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 86 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 165 pF)This advanced technology has been especially tailored t

Otros transistores... FQA6N70 , FQA6N80 , FQA6N90 , FQA7N60 , FQA7N80 , FQA7N80C , FQA7N90 , FQA7N90M , IRFP260N , FQA8N90C , FQA90N10V2 , FQA9N50 , FQA9N90C , FQAF10N80 , FQAF11N40 , FQAF11N90 , FQAF12N60 .

History: SHD219503 | IXFV16N80P | 2SK646 | 2SK2717 | SI3407DV | DMN3065LW | APT10045JLL

 

 
Back to Top

 


 
.