Справочник MOSFET. FQA85N06

 

FQA85N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQA85N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 230 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA85N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:669K  fairchild semi
 fqa85n06.pdf pdf_icon

FQA85N06

May 2001TMQFETFQA85N0660V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 100A, 60V, RDS(on) = 0.010 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 86 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 165 pF)This advanced technology has been especially tailored t

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FQB5N30TM | FQAF58N08 | FQB34N20LTM | STS4DPF20L | STP8NM60ND | FQAF16N25C | FQB2N30TM

 

 
Back to Top

 


 
.