Справочник MOSFET. FQA85N06

 

FQA85N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQA85N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 230 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
 

 Аналог (замена) для FQA85N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA85N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:669K  fairchild semi
 fqa85n06.pdf pdf_icon

FQA85N06

May 2001TMQFETFQA85N0660V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 100A, 60V, RDS(on) = 0.010 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 86 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 165 pF)This advanced technology has been especially tailored t

Другие MOSFET... FQA6N70 , FQA6N80 , FQA6N90 , FQA7N60 , FQA7N80 , FQA7N80C , FQA7N90 , FQA7N90M , IRFP260N , FQA8N90C , FQA90N10V2 , FQA9N50 , FQA9N90C , FQAF10N80 , FQAF11N40 , FQAF11N90 , FQAF12N60 .

History: WMO053NV8HGS | SFF9140-28 | TK22A65X5 | FQA7N80C

 

 
Back to Top

 


 
.