FQA85N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQA85N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 230 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO-3PN

Аналог (замена) для FQA85N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA85N06 даташит

 ..1. Size:669K  fairchild semi
 fqa85n06.pdf pdf_icon

FQA85N06

May 2001 TM QFET FQA85N06 60V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 100A, 60V, RDS(on) = 0.010 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 86 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 165 pF) This advanced technology has been especially tailored t

Другие IGBT... FQA6N70, FQA6N80, FQA6N90, FQA7N60, FQA7N80, FQA7N80C, FQA7N90, FQA7N90M, IRLZ44N, FQA8N90C, FQA90N10V2, FQA9N50, FQA9N90C, FQAF10N80, FQAF11N40, FQAF11N90, FQAF12N60