FQA9N50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQA9N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.73 Ohm

Encapsulados: TO-3P

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FQA9N50 datasheet

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FQA9N50

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET 500V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 9.6A, 500V, RDS(on) = 0.73 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 28 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF) This advanced technology has been e

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FQA9N50

July 2007 QFET FQA9N90C 900V N-Channel MOSFET Features Description 9A, 900V, RDS(on) = 1.4 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 45 nC) transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 14pF) This advanced technology has been especially tailored to Fa

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FQA9N50

April 2013 FQA9N90_F109 N-Channel QFET MOSFET 900 V, 8.6 A, 1.3 Features Description 8.6 A, 900 V, RDS(on) = 1.3 (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 4.3 A This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor s proprietary planar Low Gate Charge (Typ. 55 nC) stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET Low Crss (Typ. 25 pF) techn

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