FQAF22P10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQAF22P10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 170 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm

Encapsulados: TO-3PF

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FQAF22P10 datasheet

 ..1. Size:627K  fairchild semi
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FQAF22P10

TM QFET FQAF22P10 100V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -16.6A, -100V, RDS(on) = 0.125 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typically 40 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typically 160 pF) This advanced technology has been especially tailored

 9.1. Size:781K  fairchild semi
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FQAF22P10

May 2000 TM QFET QFET QFET QFET 150V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 22A, 150V, RDS(on) = 0.09 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 40 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 50 pF) This advanced technology has been es

Otros transistores... FQAF15N70, FQAF16N25, FQAF16N25C, FQAF17N40, FQAF17P10, FQAF19N20, FQAF19N20L, FQAF19N60, STP75NF75, FQAF28N15, FQAF33N10, FQAF33N10L, FQAF34N25, FQAF40N25, FQAF44N08, FQAF44N10, FQAF47P06