Справочник MOSFET. FQAF22P10

 

FQAF22P10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQAF22P10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PF
 

 Аналог (замена) для FQAF22P10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQAF22P10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:627K  fairchild semi
 fqaf22p10.pdf pdf_icon

FQAF22P10

TMQFETFQAF22P10100V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -16.6A, -100V, RDS(on) = 0.125 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typically 40 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typically 160 pF)This advanced technology has been especially tailored

 9.1. Size:781K  fairchild semi
 fqaf28n15.pdf pdf_icon

FQAF22P10

May 2000TMQFETQFETQFETQFET 150V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 22A, 150V, RDS(on) = 0.09 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 40 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 50 pF)This advanced technology has been es

Другие MOSFET... FQAF15N70 , FQAF16N25 , FQAF16N25C , FQAF17N40 , FQAF17P10 , FQAF19N20 , FQAF19N20L , FQAF19N60 , 12N60 , FQAF28N15 , FQAF33N10 , FQAF33N10L , FQAF34N25 , FQAF40N25 , FQAF44N08 , FQAF44N10 , FQAF47P06 .

History: IRFR3711ZCPBF | HYG210P06LQ1V | BRFL7N65 | G30N03D3 | AOD2544 | FQAF15N70 | HD50N06D

 

 
Back to Top

 


 
.