FQAF22P10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQAF22P10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm

Тип корпуса: TO-3PF

Аналог (замена) для FQAF22P10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQAF22P10 даташит

 ..1. Size:627K  fairchild semi
 fqaf22p10.pdf pdf_icon

FQAF22P10

TM QFET FQAF22P10 100V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -16.6A, -100V, RDS(on) = 0.125 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typically 40 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typically 160 pF) This advanced technology has been especially tailored

 9.1. Size:781K  fairchild semi
 fqaf28n15.pdf pdf_icon

FQAF22P10

May 2000 TM QFET QFET QFET QFET 150V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 22A, 150V, RDS(on) = 0.09 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 40 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 50 pF) This advanced technology has been es

Другие IGBT... FQAF15N70, FQAF16N25, FQAF16N25C, FQAF17N40, FQAF17P10, FQAF19N20, FQAF19N20L, FQAF19N60, STP75NF75, FQAF28N15, FQAF33N10, FQAF33N10L, FQAF34N25, FQAF40N25, FQAF44N08, FQAF44N10, FQAF47P06