Справочник MOSFET. FQAF22P10

 

FQAF22P10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FQAF22P10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 170 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PF

 Аналог (замена) для FQAF22P10

 

 

FQAF22P10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:627K  fairchild semi
 fqaf22p10.pdf

FQAF22P10 FQAF22P10

TMQFETFQAF22P10100V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -16.6A, -100V, RDS(on) = 0.125 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typically 40 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typically 160 pF)This advanced technology has been especially tailored

 9.1. Size:781K  fairchild semi
 fqaf28n15.pdf

FQAF22P10 FQAF22P10

May 2000TMQFETQFETQFETQFET 150V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 22A, 150V, RDS(on) = 0.09 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 40 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 50 pF)This advanced technology has been es

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top