FQAF58N08 Todos los transistores

 

FQAF58N08 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQAF58N08
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 520 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PF
 

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FQAF58N08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:612K  fairchild semi
 fqaf58n08.pdf pdf_icon

FQAF58N08

December 2000TMQFETQFETQFETQFETFQAF58N0880V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 44A, 80V, RDS(on) = 0.024 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 50 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 120 pF)This advanced technology is espe

 9.1. Size:660K  fairchild semi
 fqaf5n90.pdf pdf_icon

FQAF58N08

September 2000TMQFETQFETQFETQFETFQAF5N90900V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 4.1A, 900V, RDS(on) = 2.3 @ VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 31 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 13 pF)This advanced technology has b

Otros transistores... FQAF28N15 , FQAF33N10 , FQAF33N10L , FQAF34N25 , FQAF40N25 , FQAF44N08 , FQAF44N10 , FQAF47P06 , IRF9540N , FQAF5N90 , FQAF65N06 , FQAF6N80 , FQAF6N90 , FQAF70N15 , FQAF7N80 , FQAF7N90 , FQAF8N80 .

History: NP36P04SDG | DMP1200UFR4 | DMP1022UFDF | NP36P06KDG | NP40N055KLE | DMP1080UCB4 | IPD60R2K0C6

 

 
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