FQAF58N08 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQAF58N08

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 520 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm

Encapsulados: TO-3PF

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FQAF58N08 datasheet

 ..1. Size:612K  fairchild semi
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FQAF58N08

December 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQAF58N08 80V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 44A, 80V, RDS(on) = 0.024 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 50 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 120 pF) This advanced technology is espe

 9.1. Size:660K  fairchild semi
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FQAF58N08

September 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQAF5N90 900V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 4.1A, 900V, RDS(on) = 2.3 @ VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 31 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 13 pF) This advanced technology has b

Otros transistores... FQAF28N15, FQAF33N10, FQAF33N10L, FQAF34N25, FQAF40N25, FQAF44N08, FQAF44N10, FQAF47P06, SPP20N60C3, FQAF5N90, FQAF65N06, FQAF6N80, FQAF6N90, FQAF70N15, FQAF7N80, FQAF7N90, FQAF8N80