Справочник MOSFET. FQAF58N08

 

FQAF58N08 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQAF58N08
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PF
 

 Аналог (замена) для FQAF58N08

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQAF58N08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:612K  fairchild semi
 fqaf58n08.pdf pdf_icon

FQAF58N08

December 2000TMQFETQFETQFETQFETFQAF58N0880V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 44A, 80V, RDS(on) = 0.024 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 50 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 120 pF)This advanced technology is espe

 9.1. Size:660K  fairchild semi
 fqaf5n90.pdf pdf_icon

FQAF58N08

September 2000TMQFETQFETQFETQFETFQAF5N90900V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 4.1A, 900V, RDS(on) = 2.3 @ VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 31 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 13 pF)This advanced technology has b

Другие MOSFET... FQAF28N15 , FQAF33N10 , FQAF33N10L , FQAF34N25 , FQAF40N25 , FQAF44N08 , FQAF44N10 , FQAF47P06 , AON7410 , FQAF5N90 , FQAF65N06 , FQAF6N80 , FQAF6N90 , FQAF70N15 , FQAF7N80 , FQAF7N90 , FQAF8N80 .

History: FQA33N10L | CS4N60A3TDY | AUIRLR3636 | SI2323DDS-T1-GE3 | WMB072N12HG2 | KF3N40W | AUIRF2903ZS

 

 
Back to Top

 


 
.