FQAF58N08. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQAF58N08

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: TO-3PF

Аналог (замена) для FQAF58N08

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQAF58N08 даташит

 ..1. Size:612K  fairchild semi
 fqaf58n08.pdf pdf_icon

FQAF58N08

December 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQAF58N08 80V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 44A, 80V, RDS(on) = 0.024 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 50 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 120 pF) This advanced technology is espe

 9.1. Size:660K  fairchild semi
 fqaf5n90.pdf pdf_icon

FQAF58N08

September 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQAF5N90 900V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 4.1A, 900V, RDS(on) = 2.3 @ VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 31 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 13 pF) This advanced technology has b

Другие IGBT... FQAF28N15, FQAF33N10, FQAF33N10L, FQAF34N25, FQAF40N25, FQAF44N08, FQAF44N10, FQAF47P06, SPP20N60C3, FQAF5N90, FQAF65N06, FQAF6N80, FQAF6N90, FQAF70N15, FQAF7N80, FQAF7N90, FQAF8N80