FQAF8N80 Todos los transistores

 

FQAF8N80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQAF8N80
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PF
 

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FQAF8N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:690K  fairchild semi
 fqaf8n80.pdf pdf_icon

FQAF8N80

March 2001TMQFETFQAF8N80800V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 5.9A, 800V, RDS(on) = 1.2 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 44 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF)This advanced technology has been especially tailored

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History: IPD60R1K5CE | SI7120ADN

 

 
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