FQAF8N80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FQAF8N80
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3PF
Búsqueda de reemplazo de FQAF8N80 MOSFET
FQAF8N80 Datasheet (PDF)
fqaf8n80.pdf
March 2001TMQFETFQAF8N80800V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 5.9A, 800V, RDS(on) = 1.2 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 44 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF)This advanced technology has been especially tailored
Otros transistores... FQAF58N08 , FQAF5N90 , FQAF65N06 , FQAF6N80 , FQAF6N90 , FQAF70N15 , FQAF7N80 , FQAF7N90 , IRF1407 , FQAF90N08 , FQAF9N50 , FQAF9P25 , FQB10N20C , FQB10N20LTM , FQB10N60CTM , FQB11N40CTM , FQB11N40TM .
History: IPD65R600C6
History: IPD65R600C6
Liste
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