FQAF8N80 - аналоги и даташиты транзистора

 

FQAF8N80 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FQAF8N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PF
 

 Аналог (замена) для FQAF8N80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQAF8N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:690K  fairchild semi
 fqaf8n80.pdf pdf_icon

FQAF8N80

March 2001TMQFETFQAF8N80800V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 5.9A, 800V, RDS(on) = 1.2 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 44 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF)This advanced technology has been especially tailored

Другие MOSFET... FQAF58N08 , FQAF5N90 , FQAF65N06 , FQAF6N80 , FQAF6N90 , FQAF70N15 , FQAF7N80 , FQAF7N90 , IRF1407 , FQAF90N08 , FQAF9N50 , FQAF9P25 , FQB10N20C , FQB10N20LTM , FQB10N60CTM , FQB11N40CTM , FQB11N40TM .

History: NCE6012CS

 

 
Back to Top

 


 
.