FQAF8N80. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQAF8N80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO-3PF

Аналог (замена) для FQAF8N80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQAF8N80 даташит

 ..1. Size:690K  fairchild semi
 fqaf8n80.pdf pdf_icon

FQAF8N80

March 2001 TM QFET FQAF8N80 800V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 5.9A, 800V, RDS(on) = 1.2 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 44 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF) This advanced technology has been especially tailored

Другие IGBT... FQAF58N08, FQAF5N90, FQAF65N06, FQAF6N80, FQAF6N90, FQAF70N15, FQAF7N80, FQAF7N90, IRFB3607, FQAF90N08, FQAF9N50, FQAF9P25, FQB10N20C, FQB10N20LTM, FQB10N60CTM, FQB11N40CTM, FQB11N40TM