Справочник MOSFET. FQAF8N80

 

FQAF8N80 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FQAF8N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 107 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.9 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 110 ns
   Выходная емкость (Cd): 180 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PF

 Аналог (замена) для FQAF8N80

 

 

FQAF8N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:690K  fairchild semi
 fqaf8n80.pdf

FQAF8N80 FQAF8N80

March 2001TMQFETFQAF8N80800V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 5.9A, 800V, RDS(on) = 1.2 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 44 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF)This advanced technology has been especially tailored

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top