FQB14N30TM Todos los transistores

 

FQB14N30TM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQB14N30TM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 145 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.29 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2-PAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

FQB14N30TM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:926K  fairchild semi
 fqb14n30tm.pdf pdf_icon

FQB14N30TM

October 2008QFETFQB14N30 / FQI14N30300V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 14.4A, 300V, RDS(on) = 0.29 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 30 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 23 pF)This advanced technology has been especi

 8.1. Size:748K  fairchild semi
 fqb14n15.pdf pdf_icon

FQB14N30TM

May 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB14N15 / FQI14N15150V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 14A, 150V, RDS(on) = 0.21 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 18 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 22 pF)This advanced technology h

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History: IRFR3711ZPBF | S60N15RP | BLM12N08-B | 2SK4064LS | IXTL2x200N085T | IXTR90P20P | FQD4N50TM

 

 
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