FQB14N30TM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQB14N30TM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 300 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 145 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.29 Ohm

Encapsulados: D2-PAK

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FQB14N30TM datasheet

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FQB14N30TM

October 2008 QFET FQB14N30 / FQI14N30 300V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 14.4A, 300V, RDS(on) = 0.29 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 30 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 23 pF) This advanced technology has been especi

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FQB14N30TM

May 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQB14N15 / FQI14N15 150V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 14A, 150V, RDS(on) = 0.21 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 18 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 22 pF) This advanced technology h

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