Справочник MOSFET. FQB14N30TM

 

FQB14N30TM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQB14N30TM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 145 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm
   Тип корпуса: D2-PAK
 

 Аналог (замена) для FQB14N30TM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQB14N30TM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:926K  fairchild semi
 fqb14n30tm.pdf pdf_icon

FQB14N30TM

October 2008QFETFQB14N30 / FQI14N30300V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 14.4A, 300V, RDS(on) = 0.29 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 30 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 23 pF)This advanced technology has been especi

 8.1. Size:748K  fairchild semi
 fqb14n15.pdf pdf_icon

FQB14N30TM

May 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB14N15 / FQI14N15150V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 14A, 150V, RDS(on) = 0.21 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 18 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 22 pF)This advanced technology h

Другие MOSFET... FQB12P10TM , FQB12P20TM , FQB13N06LTM , FQB13N06TM , FQB13N10LTM , FQB13N10 , FQB13N50CTM , FQB14N15 , 2N60 , FQB15P12TM , FQB16N15TM , FQB16N25CTM , FQB16N25TM , FQB17N08LTM , FQB17N08TM , FQB17P06TM , FQB17P10TM .

History: BL2N60-P | DMG8880LK3 | 2SK1821 | IRF7470PBF | BL30N50-W | ZXM62P02E6 | AF5N60S

 

 
Back to Top

 


 
.