FQB15P12TM Todos los transistores

 

FQB15P12TM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQB15P12TM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2-PAK
 

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FQB15P12TM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:650K  fairchild semi
 fqb15p12tm fqi15p12tu.pdf pdf_icon

FQB15P12TM

QFETFQB15P12 / FQI15P12120V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -15A, -120V, RDS(on) = 0.2 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 29 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 110 pF)This advanced technology has been especially tailore

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History: AO3413L | IXFP18N65X2 | SWJ8N65DB

 

 
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