FQB15P12TM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQB15P12TM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: D2-PAK

Аналог (замена) для FQB15P12TM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQB15P12TM даташит

 ..1. Size:650K  fairchild semi
 fqb15p12tm fqi15p12tu.pdf pdf_icon

FQB15P12TM

QFET FQB15P12 / FQI15P12 120V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -15A, -120V, RDS(on) = 0.2 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 29 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 110 pF) This advanced technology has been especially tailore

Другие IGBT... FQB12P20TM, FQB13N06LTM, FQB13N06TM, FQB13N10LTM, FQB13N10, FQB13N50CTM, FQB14N15, FQB14N30TM, IRF520, FQB16N15TM, FQB16N25CTM, FQB16N25TM, FQB17N08LTM, FQB17N08TM, FQB17P06TM, FQB17P10TM, FQB19N10LTM