Справочник MOSFET. FQB15P12TM

 

FQB15P12TM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQB15P12TM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: D2-PAK
 

 Аналог (замена) для FQB15P12TM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQB15P12TM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:650K  fairchild semi
 fqb15p12tm fqi15p12tu.pdf pdf_icon

FQB15P12TM

QFETFQB15P12 / FQI15P12120V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -15A, -120V, RDS(on) = 0.2 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 29 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 110 pF)This advanced technology has been especially tailore

Другие MOSFET... FQB12P20TM , FQB13N06LTM , FQB13N06TM , FQB13N10LTM , FQB13N10 , FQB13N50CTM , FQB14N15 , FQB14N30TM , CS150N03A8 , FQB16N15TM , FQB16N25CTM , FQB16N25TM , FQB17N08LTM , FQB17N08TM , FQB17P06TM , FQB17P10TM , FQB19N10LTM .

History: STW35N60DM2 | OSG60R030HTZF | IPD90N10S4L-06 | SM3116NAFP | ELM34404AA | KHB4D0N65F

 

 
Back to Top

 


 
.